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2011年内存市场五大有趣预测
内容来源:机电商情网    浏览次数:2007    更新时间:2011/1/6
    Barclays公司的分析师C.J.Muse最近汇总了近期内存市场的最新信息,并对2011年的内存市场态势做了五条有趣的预测,一起来看看这五条预测都是些什么内容。

    1.内存呈现颓势

    “2011年将是NAND闪存而不是DRAM内存大行其道的一年。平板电脑开始蚕食低端笔记本/上网本的市场份额。在这种情况下,那些内存容量小等于2GB的小尺寸笔记本将逐渐被仅配有256Mb或32Mb容量内存的平板电脑产品所取代,这样内存市场会呈现供过于求的局面。”

    2.走进3xnm制程时代

    “总体上看,大部分内存芯片厂商将使用各种基于3xnm技术的制程来制造内存芯片产品。三星和Hynix正在积极向3xnm制程迁移。更有趣的是,日本尔必达公司则正在计划从65nm或65nm的缩减版制程一步跳跃到3xnm节点制程,转换完成后,尔必达内存芯片产品的成本将大幅降低。”

    3.韩国厂商垄断内存芯片市场

    “从市场角度看,与NAND闪存市场众商家实力接近的局面有所不同,内存市场很有可能会呈现出韩国厂商独领风骚的局面。目前,仅有韩国的三星和Hynix公司可以称为一级内存厂商,而镁光,南亚,华亚则因财力,技术实力方面稍逊一筹而排在第二集团;尔必达,力晶,瑞晶等财力和技术实力较落后,并正试图赶上的厂商则排在第三集团。

    三星目前无疑是DRAM内存界的老大。他们几乎独霸了作为30nm制程DRAM制造的必需品之一的ASML公司生产的NXT液浸光刻机市场。这样,2011年将是三星市场份额大增的一年。相比全球DRAM容量产量增长45-50%的幅度,三星公司的增长幅度可达70%左右。

    Hynix则是仅居三星之后的一级厂商。他们目前的主要问题是债务过重和股权结构不够合理,预计2011年这些问题可能会得到解决。Hynix目前正在中国无锡的工厂生产4x/3xnm制程的内存芯片产品,他们的产品技术发展步伐仅位于三星之后。明年他们将从8F2转向更先进的6F2架构,而他们与三星的距离也将进一步缩小。

    4.镁光面前困难重重

    “镁光曾一度呈现出进入第一集团的态势,实际上在2009年镁光就曾被外界公认为算是一级厂商.不过目前情况下,镁光要进入第一集团行列是有条件的,这个条件是他们的内存芯片产品制程必须成功从传统的沟槽式电容结构升级到顶部堆叠式电容结构,而实际上尽管这一转换过程在今年年初看来还算顺利,但后来这种新制程的良率方面似乎遇到一定的问题,结果导致镁光今年全年的内存容量产量不升反降。”

    实际上,镁光的台湾合作伙伴如南亚,华亚等公司在转换到顶部堆叠式电容结构时并不顺利,两家公司目前都还在为50nm顶部堆叠制程的良率改善而努力,这就更谈不上向40/30nm节点的进化了。不过2011年情况也许会有所不同,预计届时至少这些厂商都能够顺利完成顶部堆叠式电容结构的转换工作,而且镁光及其台系内存合作伙伴又有台塑做强大的财力后盾,因此届时向40/3xnm制程转换的过程应该会较为顺利。

    不过此时值得注意的是镁光2011年会将资本投资额的2/3比例划拨给NAND闪存业务使用。 
    5.尔必达的豪赌

    尔必达一直竭力向挤入内存厂商的“上游社会”。他们与瑞晶,力晶,茂德等台系内存厂商有合作关系,同时尔必达还准备在日本和台湾两国的金融市场上豪赌一笔。技术方面,尔必达完成了向65nmXS制程(65nm制程的缩减尺寸版制程)的转换,这样在目前内存价格持续上升的情况下,他们的65nm内存芯片产品仍可盈利,另外,尔必达也在努力向40/30nm节点制程进化。  
 


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